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SI4425DY-HXY
P沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本P沟道场效应管（MOSFET）具有30V漏源电压（VDSS）和12A连续漏极电流（ID）能力，满足中功率开关应用需求。导通电阻低至10mΩ（RDON），可显著减少导通损耗，提高能效。器件结构设计优化，具备良好的热稳定性和可靠性，适用于电源管理、开关电路、负载控制以及各类便携式电子设备中的高效功率切换场合，为系统提供稳定、可靠的电子控制支持。
- 商品型号
- SI4425DY-HXY
- 商品编号
- C49256915
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1145克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.94nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 210pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 290pF |
商品概述
SI4425DY采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -30V,ID = -12A
- 在VGS = 10V时,RDS(ON) < 15 mΩ
应用领域
-电池保护-负载开关-不间断电源
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