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IRF9328TRPBF-HXY
P沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本款P沟道场效应管（MOSFET）具有30V的漏源击穿电压（VDSS），支持最大连续漏极电流12A（ID），导通电阻仅为10mΩ（RDON），确保在高负载条件下仍能保持较低的导通损耗。该器件适用于各类电源管理电路、开关稳压器、电池保护模块及便携式设备中的高效能转换系统，具备良好的热稳定性和响应速度，适合对空间与效率有较高要求的设计场景。
- 商品型号
- IRF9328TRPBF-HXY
- 商品编号
- C49256916
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.115克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 28nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.94nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 210pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 290pF |
商品概述
IRF9328TRPBF采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5 V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -30V,ID = -12A
- 在VGS = 10V时,RDS(ON) < 15 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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