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IRF9321TRPBF-HXY

P沟道增强型MOSFET

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描述: 本款P沟道场效应管（MOSFET）具备30V漏源耐压（VDSS），可承载最大连续漏极电流15A（ID），导通电阻低至5.8mΩ（RDON），有效降低导通状态下的功率损耗。器件采用先进工艺制造，具有优异的热稳定性和可靠性，适用于各类电源转换、负载开关、电池管理系统及高效能DC-DC变换器等场景，在高效率与小型化设计中表现突出。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: IRF9321TRPBF-HXY
商品编号: C49256917
商品封装: SOP-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.118687克(g)

商品参数

IRF9321TRPBF采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。