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IRF9321TRPBF-HXY
P沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本款P沟道场效应管（MOSFET）具备30V漏源耐压（VDSS），可承载最大连续漏极电流15A（ID），导通电阻低至5.8mΩ（RDON），有效降低导通状态下的功率损耗。器件采用先进工艺制造，具有优异的热稳定性和可靠性，适用于各类电源转换、负载开关、电池管理系统及高效能DC-DC变换器等场景，在高效率与小型化设计中表现突出。
- 商品型号
- IRF9321TRPBF-HXY
- 商品编号
- C49256917
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.118687克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.448nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 421pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 508pF |
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