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SI4151DY-T1-GE3-HXY
P沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本款P沟道场效应管（MOSFET）具有30V的漏源耐压（VDSS），可承受连续漏极电流（ID）达15A，导通电阻（RDON）低至5.8mΩ，有助于降低导通损耗并提高系统效率。该器件采用先进工艺制造，具备良好的热稳定性和可靠性，适用于各类电源管理、开关电路及负载控制等场景。其P沟道结构在逻辑电平驱动和低边开关应用中表现出色，是多种高性能电子设备的理想选择。
- 商品型号
- SI4151DY-T1-GE3-HXY
- 商品编号
- C49256919
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1185克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 3.448nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 421pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 508pF |
商品概述
SI4151DY-T1-GE3采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -30V
- ID = -15A
- RDS(ON) < 8.7 mΩ @ VGS = 10 V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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