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UPA2736GR-E1-AX-HXY
P沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本款P沟道场效应管（MOSFET）具备15A连续漏极电流（ID）和30V漏源击穿电压（VDSS）能力，导通电阻（RDON）仅为5.8mΩ，可有效减小导通损耗，提升系统效率。器件基于高可靠性工艺设计，具有良好的热稳定性和耐用性，适用于电源管理、开关控制、负载调节等多种应用场景。其P沟道结构适合用于低边开关及逻辑电平驱动电路中，满足多种高性能电子设备对功率器件的技术需求。
- 商品型号
- UPA2736GR-E1-AX-HXY
- 商品编号
- C49256920
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.118克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.448nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 421pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 508pF |
商品概述
UPA2736GR-E1-AX采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -30V,ID = -15A
- 在VGS = 10V时,RDS(ON) < 8.7 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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