UPA2737GR-E1-AX-HXY

P沟道增强型MOSFET

描述

本款P沟道场效应管（MOSFET）具备12A的额定漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），可满足中高功率应用需求。器件导通电阻仅为10mΩ（RDON），有效降低导通损耗，提升整体系统效率。采用成熟稳定的制造工艺，确保良好的热稳定性与长期可靠性。适用于各类电源转换、开关控制、负载管理及便携式电子设备中的高效功率切换场景，为电路设计提供高性能的基础元件支持。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

UPA2737GR-E1-AX-HXY

商品编号

C49256514

商品封装

SOP-8​

包装方式

编带

商品毛重

0.1145克(g)