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DMP3021SSS-13-HXY
P沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本款P沟道场效应管（MOSFET）具备较高的电流承载能力与优异的导通特性，适用于多种电源管理及功率控制场景。其主要参数包括：漏极电流ID为12A，漏源电压VDSS为30V，导通电阻RDON低至10mΩ，能够有效降低导通损耗，提高系统效率。该器件采用标准封装形式，具备良好的热稳定性和可靠性，适用于各类电源转换器、负载开关、电池供电设备及其他中高功率电子系统中的功率控制需求。
- 商品型号
- DMP3021SSS-13-HXY
- 商品编号
- C49256512
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.115152克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 28nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.94nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 210pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 290pF |
商品概述
DMP3021SSS - 13采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。封装形式为SOP - 8。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = - 30V，漏极电流（ID） = - 12A
- 在栅源电压（VGS） = 10V时，导通电阻（RDS(ON)） < 15mΩ
- P沟道MOSFET
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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