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SI4416DY-HXY
N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本款N沟道场效应管（MOSFET）具有优异的性能和可靠性，适用于多种高效电源管理系统。其漏极电流ID可达8.5A，漏源电压VDSS为30V，确保在中等功率应用中稳定运行。导通电阻RDON低至14毫欧，有效降低导通损耗，提高系统效率。该器件采用标准封装形式，便于散热与集成，广泛应用于消费类电子、便携式设备及节能电源转换器等领域，满足对空间与效能双重需求的设计场景。
- 商品型号
- SI4416DY-HXY
- 商品编号
- C49256509
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.112克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 583pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 59pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 77pF |
商品概述
IPT015N10N5(ES)是一款N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的屏蔽栅沟槽技术和设计，可实现极低的栅极电荷和出色的导通态漏源电阻。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品IPT015N10N5(ES)为无铅产品。
商品特性
- V DS = 30V,I D = 8.5A
- R DS(ON) < 18mΩ(V GS = 10V时)
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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