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FDS6690S-HXY
N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本款N沟道场效应管（MOSFET）具有30V的漏源电压（VDSS）和8.5A的最大连续漏极电流（ID），适用于多种中高功率电路设计。导通电阻（RDON）为14毫欧，有助于降低导通损耗，提高系统整体效率。器件采用N沟道结构，具备快速开关响应和良好驱动能力，适合应用于电源管理、DC-DC转换、充电控制及LED照明等场景。其优异的电气性能和稳定的运行表现，使其可广泛用于消费类电子产品与便携设备中。
- 商品型号
- FDS6690S-HXY
- 商品编号
- C49256508
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1125克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6nC@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 583pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 59pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 77pF |
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