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SM4404BPRL-HXY
N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本款N沟道场效应管（MOSFET）具备30V的漏源击穿电压（VDSS）和8.5A的最大连续漏极电流（ID），可满足中高功率应用的需求。导通电阻（RDON）为14毫欧，有助于减少导通损耗，提升整体能效。N沟道结构设计使其在开关速度和驱动能力方面表现优异，适用于电源转换、充电管理、LED驱动以及各类消费类电子设备中的高效控制电路。该器件具备良好的热稳定性和耐用性，适合在多种工作环境下长期运行。
- 商品型号
- SM4404BPRL-HXY
- 商品编号
- C49256507
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.112626克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 583pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 59pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 77pF |
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