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SI4920DY-HXY

双N沟道增强型MOSFET

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描述
本场效应管（MOSFET）采用N+N沟道结构，支持双向导流，具备良好的开关特性和导通能力。其最大漏极电流ID为6A，漏源耐压VDSS达30V，适用于中低功率电源转换场景。导通电阻RDON仅为25mΩ，有效降低导通损耗，提升整体效率。该器件可广泛应用于中小型电子设备中的DC-DC变换、电池管理、电机驱动及负载控制等电路设计中，具有较强的适应性与稳定性。
品牌名称
HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号
SI4920DY-HXY
商品编号
C49256503
商品封装
SOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.116克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)6A
导通电阻(RDS(on))25mΩ@10V
阈值电压(Vgs(th))1.8V
栅极电荷量(Qg)5.2nC@10V
属性参数值
输入电容(Ciss)255pF
反向传输电容(Crss)35pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)45pF

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