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SI4920DY-HXY
双N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本场效应管（MOSFET）采用N+N沟道结构，支持双向导流，具备良好的开关特性和导通能力。其最大漏极电流ID为6A，漏源耐压VDSS达30V，适用于中低功率电源转换场景。导通电阻RDON仅为25mΩ，有效降低导通损耗，提升整体效率。该器件可广泛应用于中小型电子设备中的DC-DC变换、电池管理、电机驱动及负载控制等电路设计中，具有较强的适应性与稳定性。
- 商品型号
- SI4920DY-HXY
- 商品编号
- C49256503
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.116克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 255pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 35pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 45pF |
商品概述
SI4920DY采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30V,ID = 6A
- 当VGS = 10V时,RDS(ON) < 30mΩ
- 当VGS = 4.5V时,RDS(ON) < 42mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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