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FDS8936A-HXY

双N沟道增强型MOSFET

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描述
本场效应管（MOSFET）为N+N沟道组合结构，具备优良的导通特性和双向电流控制能力。其漏极电流ID可达6A，漏源电压VDSS为30V，适用于中低功率电源管理应用。导通电阻RDON低至25mΩ，可有效减少能量损耗，提升系统效率。该器件适用于各类中小型电子设备中的DC-DC转换、电池充放电控制、电机驱动及负载开关等场景，具有良好的稳定性和广泛的电路兼容性。
品牌名称
HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号
FDS8936A-HXY
商品编号
C49256504
商品封装
SOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.116克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)6A
导通电阻(RDS(on))30mΩ@10V
耗散功率(Pd)2W
阈值电压(Vgs(th))1.8V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)5.2nC@10V
输入电容(Ciss)255pF
反向传输电容(Crss)35pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)45pF

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