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ZXMN2A14FTA-HXY
N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本款N沟道场效应管（MOSFET）具有20V的漏源击穿电压（VDSS）和3A的额定漏极电流（ID），导通电阻（RDON）低至45毫欧，可实现高效的电流控制与较低的导通损耗。适用于各类中低功率电源管理系统、电池供电设备、DC-DC转换器及负载开关电路，具备良好的热稳定性和响应速度，满足高密度电源设计对小型化与效率提升的需求。
- 商品型号
- ZXMN2A14FTA-HXY
- 商品编号
- C49256505
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.023154克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 900mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 750mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 2.9nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 260pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 27pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 48pF |
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