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SH8K3TB1-HXY
双N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本场效应管（MOSFET）采用N+N沟道结构，具备优良的开关特性和导通能力。其漏源电压VDSS为30V，最大漏极电流ID可达8.5A，适用于多种中低功率应用场景。导通电阻RDON仅为17mΩ，可有效减少导通损耗，提高整体效率。该器件适用于电源管理、DC-DC转换器、电池保护电路以及各类便携式电子设备中的高频开关电路，性能稳定，兼容性强，能够满足多样化电路设计的需求。
- 商品型号
- SH8K3TB1-HXY
- 商品编号
- C49256497
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.113克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 572pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 80pF |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 1 个)个
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