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UPA2752GR-E2-A-HXY
双N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本场效应管（MOSFET）采用N+N沟道结构，支持双向导通，具备良好的电流驱动能力和高效的开关性能。其最大漏极电流ID为8.5A，漏源耐压VDSS为30V，适用于中低电压功率控制场景。导通电阻RDON仅为17mΩ，有效减少导通损耗，提高系统能效。该器件可广泛用于电源转换、电机控制、电池管理及高精度开关电路中，满足高频运作与小型化设计需求，适合多种消费类与通信类电子设备应用。
- 商品型号
- UPA2752GR-E2-A-HXY
- 商品编号
- C49256499
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.113克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17mΩ@10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6nC@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 572pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 80pF |
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