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HAT2043R-EL-E-HXY
双N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本款场效应管（MOSFET）采用N+N沟道组合设计，具备优异的导通性能与高效能表现。其漏极电流ID为8.5A，漏源电压VDSS达30V，确保在中高功率应用中的稳定运行。导通电阻RDON低至17mΩ，有助于降低能量损耗并提升系统效率。该器件适用于电源管理、开关电路及负载控制等多种场景，支持高频操作，兼顾小型化与高性能需求，是多样化电子设备中的关键组件。
- 商品型号
- HAT2043R-EL-E-HXY
- 商品编号
- C49256498
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.113克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 572pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 80pF |
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