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STS8DN3LLH5-HXY
双N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本场效应管（MOSFET）采用N+N沟道结构，支持双向导通与高效开关操作。其最大漏极电流ID为8.5A，漏源击穿电压VDSS为30V，适用于中低功率电源系统。17mΩ的超低导通电阻（RDON）显著减少导通损耗，提高整体效率。该器件可广泛应用于便携式电源管理、DC-DC转换电路、电池保护模块及高密度电子设备中，提供稳定可靠的电力控制性能，满足对效率与尺寸双重要求的应用场景。
- 商品型号
- STS8DN3LLH5-HXY
- 商品编号
- C49256492
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.113克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6nC@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
STS8DN3LLH5采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = 30V，漏极电流ID = 8A
- 当栅源电压VGS = 4.5V时，导通电阻RDS(ON) < 19 mΩ
应用领域
- 电池保护-负载开关-不间断电源
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