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FDS6984S-HXY

双N沟道增强型MOSFET

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描述
本款场效应管（MOSFET）采用N+N沟道组合设计，具备优异的导通与开关性能。其漏极电流ID可达8.5A，漏源电压VDSS为30V，确保在中高功率应用中的稳定性。导通电阻RDON低至17mΩ，有助于降低导通损耗并提升系统效率。该器件适用于电源管理、消费类电子设备及高性能计算模块等场景，提供紧凑且高效的电路解决方案。
品牌名称
HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号
FDS6984S-HXY
商品编号
C49256493
商品封装
SOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.113克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)8A
导通电阻(RDS(on))17mΩ@10V
耗散功率(Pd)1.5W
阈值电压(Vgs(th))2.5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)6nC@4.5V
输入电容(Ciss)572pF
反向传输电容(Crss)65pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)80pF

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