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SI4804CDY-T1-GE3-HXY
双N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本场效应管（MOSFET）为N+N沟道组合结构，具备优良的导通性能与快速开关特性。其漏极电流能力为8.5A，漏源电压耐受值为30V，适用于多种中高功率电路应用场景。17mΩ的低导通电阻（RDON）显著降低了导通损耗，提高了系统整体效率。该器件适合用于电源管理模块、消费类电子产品及便携式智能设备中的功率控制电路，满足高效能与小型化设计需求。
- 商品型号
- SI4804CDY-T1-GE3-HXY
- 商品编号
- C49256495
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1125克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 572pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 80pF |
商品概述
SI4804CDY-T1-GE3采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30V,ID = 8A
- 在VGS = 4.5V时,RDS(ON) < 19 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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