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SI4214DDY-T1-E3-HXY
双N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本场效应管（MOSFET）采用N+N沟道结构，具备良好的导通特性和开关响应。其最大漏极电流ID为8.5A，漏源击穿电压VDSS为30V，适用于中等功率电路设计。器件导通电阻RDON仅为17mΩ，有效降低导通损耗，提高整体效率。该产品可广泛应用于电源转换、便携式电子设备及高性能计算模块等场景，满足高效、小型化电路系统的设计需求。
- 商品型号
- SI4214DDY-T1-E3-HXY
- 商品编号
- C49256494
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1135克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 572pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 80pF |
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