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IPD30N06S3-24-HXY
N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本款N沟道场效应管（MOSFET）具有60V的漏源击穿电压（VDSS）和30A的额定漏极电流（ID），适用于中高功率场景。导通电阻（RDON）低至22mΩ，有助于降低导通损耗并提升系统效率。该器件采用标准封装，具备良好的热稳定性和耐用性，适合用于电源管理、开关电路、电机控制及LED驱动等多种电子设备中，为电路设计提供可靠的基础支持。
- 商品型号
- IPD30N06S3-24-HXY
- 商品编号
- C49256482
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3615克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 34.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.378nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 64pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 86pF |
商品概述
IPD30N06S3-24采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 60 V
- ID = 30 A
- RDS(ON) < 26 mΩ @ VGS = 10 V
应用领域
-电池保护-负载开关-不间断电源
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