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IPD30N06S3-24-HXY

N沟道增强型MOSFET

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描述
本款N沟道场效应管（MOSFET）具有60V的漏源击穿电压（VDSS）和30A的额定漏极电流（ID），适用于中高功率场景。导通电阻（RDON）低至22mΩ，有助于降低导通损耗并提升系统效率。该器件采用标准封装，具备良好的热稳定性和耐用性，适合用于电源管理、开关电路、电机控制及LED驱动等多种电子设备中，为电路设计提供可靠的基础支持。
品牌名称
HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号
IPD30N06S3-24-HXY
商品编号
C49256482
商品封装
TO-252-2L​
包装方式
编带
商品毛重
0.3615克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)30A
导通电阻(RDS(on))22mΩ@10V
耗散功率(Pd)34.7W
阈值电压(Vgs(th))2.5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)12.6nC@4.5V
输入电容(Ciss)1.378nF
反向传输电容(Crss)64pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)86pF

数据手册PDF

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