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IRLR2905TRLPBF-HXY实物图
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IRLR2905TRLPBF-HXY

N沟道增强型MOSFET

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
描述
本款N沟道场效应管（MOSFET）具备30A的漏极电流（ID）和60V的漏源电压（VDSS），适用于多种中高功率应用场景。其导通电阻（RDON）仅为22mΩ，有效降低能量损耗并提升整体效率。器件采用通用型封装设计，具备良好的散热性能与可靠性，适用于电源转换、电机驱动、LED照明及储能设备等多种电子电路系统，满足多样化设计需求。
品牌名称
HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号
IRLR2905TRLPBF-HXY
商品编号
C49256483
商品封装
TO-252-2L​
包装方式
编带
商品毛重
0.3615克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)30A
导通电阻(RDS(on))22mΩ@10V
耗散功率(Pd)34.7W
阈值电压(Vgs(th))2.5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)12.6nC@4.5V
输入电容(Ciss)1.378nF
反向传输电容(Crss)64pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)86pF

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