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IRLR2905TRLPBF-HXY
N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本款N沟道场效应管（MOSFET）具备30A的漏极电流（ID）和60V的漏源电压（VDSS），适用于多种中高功率应用场景。其导通电阻（RDON）仅为22mΩ，有效降低能量损耗并提升整体效率。器件采用通用型封装设计，具备良好的散热性能与可靠性，适用于电源转换、电机驱动、LED照明及储能设备等多种电子电路系统，满足多样化设计需求。
- 商品型号
- IRLR2905TRLPBF-HXY
- 商品编号
- C49256483
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3615克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 34.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.378nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 64pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 86pF |
商品概述
IRLR2905TRLPBF采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 60 V
- ID = 30 A
- RDS(ON) < 26 mΩ @ VGS = 10 V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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