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BUK9230-55A-HXY

N沟道增强型MOSFET

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
描述
本N沟道场效应管（MOSFET）具有30A连续漏极电流（ID）和60V漏源耐压（VDSS），适用于多种中高功率电路应用。导通电阻（RDON）低至22mΩ，可有效减少导通损耗，提高系统效率。器件具备良好的热稳定性和耐用性，适用于电源管理、开关电源、电机控制、LED驱动及储能设备等各类电子电路中，满足多样化设计与性能需求。
品牌名称
HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号
BUK9230-55A-HXY
商品编号
C49256484
商品封装
TO-252-2L​
包装方式
编带
商品毛重
0.361克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)30A
导通电阻(RDS(on))22mΩ@10V
耗散功率(Pd)34.7W
阈值电压(Vgs(th))2.5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)12.6nC@4.5V
输入电容(Ciss)1.378nF
反向传输电容(Crss)64pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)86pF

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