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MMFTP3334K-AQ-HXY

P沟道增强型MOSFET

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
描述
本产品为P沟道增强型场效应管（MOSFET），具备良好的导通与开关特性。其漏极电流ID为4.1A，漏源击穿电压VDSS为30V，导通电阻RDON为48mΩ，适用于中低功率电源管理系统。器件采用成熟工艺制造，具有稳定性和可靠性，适合用于电源开关、电池管理、负载控制及便携式设备中的DC-DC转换电路，提供高效的功率调节能力。
品牌名称
HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号
MMFTP3334K-AQ-HXY
商品编号
C49256473
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.024161克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)4.1A
导通电阻(RDS(on))48mΩ@10V
耗散功率(Pd)1.32W
阈值电压(Vgs(th))1.5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)5.22nC@4.5V
输入电容(Ciss)463pF
反向传输电容(Crss)68pF
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道
输出电容(Coss)82pF

数据手册PDF

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