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MMFTP3334K-AQ-HXY
P沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本产品为P沟道增强型场效应管（MOSFET），具备良好的导通与开关特性。其漏极电流ID为4.1A，漏源击穿电压VDSS为30V，导通电阻RDON为48mΩ，适用于中低功率电源管理系统。器件采用成熟工艺制造，具有稳定性和可靠性，适合用于电源开关、电池管理、负载控制及便携式设备中的DC-DC转换电路，提供高效的功率调节能力。
- 商品型号
- MMFTP3334K-AQ-HXY
- 商品编号
- C49256473
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.024161克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 48mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.32W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5.22nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 463pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 68pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 82pF |
商品概述
MMFTP3334K-AQ采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -30 V,ID = -4.1 A
- 在VGS = 10 V时,RDS(ON) < 56 mΩ
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 电源管理
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