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SI3401A-HXY
P沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本款P沟道场效应管（MOSFET）具备4.2A的漏极电流（ID）和30V的漏源电压（VDSS），导通电阻（RDON）仅为45毫欧，能够有效减少功率损耗并提升转换效率。器件采用成熟稳定的封装工艺，适用于多种中低功率应用场景，如电池供电设备、智能家电、通信模块及电源管理系统，为电路提供可靠的开关控制性能。
- 商品型号
- SI3401A-HXY
- 商品编号
- C49256476
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.023667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 880pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 105pF |
商品概述
SI3401A采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = -30V,漏极电流ID = -4.2A
- 当栅源电压VGS = -10V时,导通电阻RDS(ON) < 55mΩ
- 当栅源电压VGS = -4.5V时,导通电阻RDS(ON) < 75mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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