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AO7414
N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本款N沟道场效应管（MOSFET）具有以下主要参数：最大漏极电流ID为2A，漏源击穿电压VDSS为20V，导通电阻RDON为49mΩ。该器件适用于需要高效开关和低导通损耗的中低功率应用场景，例如电源管理、负载开关、电池供电设备以及各类嵌入式电子产品中的信号处理与功率控制部分。其小尺寸封装与优良的热稳定性也使其适合高密度电路设计。
- 商品型号
- AO7414
- 商品编号
- C49256478
- 商品封装
- SOT-323
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.021812克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 55mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 300mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV | |
| 输入电容(Ciss) | 300pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 120pF |
商品概述
AO7414采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 20V,ID = 2A
- 当VGS = 4.5V时,RDS(ON) < 55mΩ
- 当VGS = 2.5V时,RDS(ON) < 85mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
- SOT-323
- N沟道MOSFET
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