DMP2070U-13-HXY

P沟道增强型MOSFET

描述

本款P沟道场效应管（MOSFET）具有20V的漏源耐压（VDSS），可承受连续漏极电流（ID）达4.1A，导通电阻（RDON）低至34毫欧。该参数组合使其在中低功率电源管理应用中表现出色，适用于各类便携式电子设备、消费类电子产品及小型电源转换装置中的高效开关控制。器件采用成熟工艺制造，具备良好的热稳定性和可靠性，适用于需要紧凑布局和高效能表现的电路设计场景。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

DMP2070U-13-HXY

商品编号

C49256479

商品封装

SOT-23-3L​

包装方式

编带

商品毛重

0.027852克(g)