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DMP2070U-13-HXY
P沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本款P沟道场效应管（MOSFET）具有20V的漏源耐压（VDSS），可承受连续漏极电流（ID）达4.1A，导通电阻（RDON）低至34毫欧。该参数组合使其在中低功率电源管理应用中表现出色，适用于各类便携式电子设备、消费类电子产品及小型电源转换装置中的高效开关控制。器件采用成熟工艺制造，具备良好的热稳定性和可靠性，适用于需要紧凑布局和高效能表现的电路设计场景。
- 商品型号
- DMP2070U-13-HXY
- 商品编号
- C49256479
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.027852克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 34mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 550mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 950pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 120pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 165pF |
优惠活动
购买数量
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起订量：5 个3000个/圆盘
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