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SI2343DS-T1-BE3-HXY

P沟道增强型MOSFET

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
描述
本P沟道场效应管（MOSFET）具有4.2A连续漏极电流（ID）和30V漏源电压（VDSS）的额定值，导通电阻（RDON）低至45毫欧，可有效提升电路效率并降低温升。器件适用于各类中低功率电源转换与控制场合，如便携式电子产品、智能控制模块、通信设备及家用电器中的电源管理单元，提供稳定可靠的开关性能。
品牌名称
HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号
SI2343DS-T1-BE3-HXY
商品编号
C49256477
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.024克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)4.2A
导通电阻(RDS(on))45mΩ@10V
耗散功率(Pd)1.2W
阈值电压(Vgs(th))1V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)8.5nC@4.5V
输入电容(Ciss)880pF
反向传输电容(Crss)65pF
类型P沟道
输出电容(Coss)105pF

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