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SI2343DS-T1-BE3-HXY
P沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本P沟道场效应管（MOSFET）具有4.2A连续漏极电流（ID）和30V漏源电压（VDSS）的额定值，导通电阻（RDON）低至45毫欧，可有效提升电路效率并降低温升。器件适用于各类中低功率电源转换与控制场合，如便携式电子产品、智能控制模块、通信设备及家用电器中的电源管理单元，提供稳定可靠的开关性能。
- 商品型号
- SI2343DS-T1-BE3-HXY
- 商品编号
- C49256477
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.024克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 880pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 105pF |
商品概述
SI2343DS-T1-BE3采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)。该器件适用于用作负载开关或PWM应用。
商品特性
- VDS = -30V,ID = -4.2A
- 在VGS = -10V时,RDS(ON) < 55mΩ
- 在VGS = -4.5V时,RDS(ON) < 75mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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