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SI1317DL-T1-GE3-HXY
P沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本产品为P沟道增强型场效应管（MOSFET），适用于多种低功率电源管理与开关控制应用。其主要参数包括：漏极电流ID为1.8A，漏源击穿电压VDSS为20V，导通电阻RDON为120mΩ，能够在较低功率环境下实现稳定的开关性能。该器件具备良好的热稳定性和封装兼容性，适用于各类消费类电子产品中的电源切换、负载控制、电池供电设备及便携式充电装置等应用场景。
- 商品型号
- SI1317DL-T1-GE3-HXY
- 商品编号
- C49256474
- 商品封装
- SOT-323
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.02047克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 150mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 290mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV | |
| 输入电容(Ciss) | 680pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 95pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 130pF |
商品概述
SI1317DL-T1-GE3采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)。该器件适合用作负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- VDS = -20V,ID = -1.8A
- 在VGS = -4.5V时,RDS(ON) < 150mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
- P沟道MOSFET
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