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IRF7907TRPBF-HXY
双N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本场效应管（MOSFET）采用N+N沟道结构，具有8.5A的漏极电流ID和30V的漏源电压VDSS，适用于中高功率密度电路设计。其导通电阻RDON低至15毫欧，有效减少功率损耗并提升系统效率。器件具备良好的热稳定性和快速开关响应特性，可广泛应用于电源适配器、储能系统、智能家电及通信设备中的功率控制与转换电路。
- 商品型号
- IRF7907TRPBF-HXY
- 商品编号
- C49256428
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.113克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 572pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 80pF |
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