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AOTF16N50

硅N沟道功率MOSFET

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描述
本款N沟道增强型场效应管（MOSFET）具有20A连续漏极电流（ID）与500V漏源耐压（VDSS），适用于多种中高功率电源转换场合。导通电阻（RDON）为260mΩ，有助于降低导通损耗，提高转换效率。器件具备良好的热稳定性与可靠性，可广泛应用于开关电源、适配器、LED驱动电路以及各类电力电子设备中，满足对性能和稳定性有较高要求的电路设计需求。
品牌名称
HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号
AOTF16N50
商品编号
C49256438
商品封装
TO-220F​
包装方式
管装
商品毛重
2.422克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)500V
连续漏极电流(Id)20A
导通电阻(RDS(on))260mΩ@10V
耗散功率(Pd)165W
阈值电压(Vgs(th))4V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)63nC@10V
输入电容(Ciss)2.864nF
反向传输电容(Crss)25pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)286pF

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