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IRLR3105TRPBF-HXY
N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本款N沟道场效应管（MOSFET）采用先进工艺制造，具备优异的导通与开关性能。其主要参数包括：漏极电流ID为20A，漏源电压VDSS达60V，导通电阻RDON低至27毫欧，适用于需要高效能功率管理的多种场景。器件结构优化，支持快速开关操作，减少能量损耗，同时具备良好的热稳定性和可靠性。可广泛应用于电源转换、电机控制、消费类电子及高性能计算设备中的功率调节模块，为系统提供稳定、高效的运行表现。
- 商品型号
- IRLR3105TRPBF-HXY
- 商品编号
- C49256445
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.364322克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 34.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.355nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 49pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 60pF |
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