DMPH4013SK3-13-HXY

P沟道增强型MOSFET

描述

本款P沟道场效应管（MOSFET）具有40V的漏源耐压（VDSS），可承受最高50A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDON）低至10mΩ，有效降低导通损耗并提升系统效率。器件采用先进工艺制造，具备良好的热稳定性和高频响应特性，适用于电源管理、开关电路、负载控制及直流电机驱动等场景。其低导通电阻与高电流承载能力相结合，可在高性能电子设备中实现紧凑化设计与高效能运作。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

DMPH4013SK3-13-HXY

商品编号

C49256454

商品封装

TO-252-2L​

包装方式

编带

商品毛重

0.3735克(g)