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IRLR7833TRPBF-HXY
N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本款N沟道场效应管（MOSFET）具有100A的最大漏极电流ID和30V的漏源击穿电压VDSS，导通电阻RDON低至3.8mΩ，具备优异的导电性能与较低的开关损耗。器件采用先进工艺制造，确保在高负载条件下仍能保持稳定工作。适用于各类高性能电源系统、同步整流电路、DC-DC转换器及电池管理电路等应用场合，能够满足对效率与可靠性要求较高的设计方案需求。
- 商品型号
- IRLR7833TRPBF-HXY
- 商品编号
- C49256464
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3635克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 53W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.295nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 210pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 267pF |
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购买数量
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