温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IRLR7833TRLPBF-HXY
N沟道增强型MOSFET
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET），适用于高效率、高密度电源转换系统。其主要参数包括：最大漏极电流ID为100A，漏源击穿电压VDSS为30V，导通电阻RDON低至3.8mΩ，有助于降低导通损耗并提升整体能效。该器件采用先进工艺制造，具备优良的热稳定性和可靠性，适用于各类中功率电源管理场合，如同步整流、DC-DC转换器及负载开关等应用。
- 商品型号
- IRLR7833TRLPBF-HXY
- 商品编号
- C49256465
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3635克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 53W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.295nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 210pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 267pF |
商品概述
IRLR7833TRLPBF采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷，且能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30 V
- ID = 100 A
- RDS(ON) < 5 mΩ @ VGS = 10 V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
相似推荐
其他推荐
- STD80N3LL-HXY
- STD96N3LLH6-HXY
- STD86N3LH5-HXY
- SUD50N03-06AP-E3-HXY
- FDD6688S-HXY
- NTD4404N1G-HXY
- DMN2041UVT-13-HXY
- MMFTP3334K-AQ-HXY
- SI1317DL-T1-GE3-HXY
- MMFTP3401-HXY
- SI3401A-HXY
- SI2343DS-T1-BE3-HXY
- AO7414
- DMP2070U-13-HXY
- CPH3340-TL-E-HXY
- IRLR2905TRPBF-HXY
- IPD30N06S3-24-HXY
- IRLR2905TRLPBF-HXY
- BUK9230-55A-HXY
- AUIRLR2905TRL-HXY
- FDD5690-HXY