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SUD50N03-06AP-E3-HXY
N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本款N沟道增强型场效应管（MOSFET）具有出色的导通与开关性能。其漏极电流ID为100A，漏源电压VDSS为30V，适用于中高功率电源系统设计。导通电阻RDON低至3.8mΩ，显著减少导通损耗，提高整体效率。器件结构优化，具备良好的热稳定性和耐用性，适用于高效DC-DC转换器、电池保护电路及大电流开关等应用场景，可满足对性能和可靠性有较高要求的电子系统需求。
- 商品型号
- SUD50N03-06AP-E3-HXY
- 商品编号
- C49256469
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3635克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 53W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.295nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 210pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 267pF |
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