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FDD6688S-HXY
N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本N沟道增强型场效应管（MOSFET）具有优异的电学性能与稳定的表现。其漏极电流ID可达100A，漏源电压VDSS为30V，适用于中高功率电源管理应用。导通电阻RDON低至3.8mΩ，有效降低功率损耗，提升系统效率。器件设计优化，具备良好的热管理能力和可靠性，适合用于高效电源转换、电池管理系统、大电流开关控制等场景，能够满足对性能和稳定性有较高要求的电子设计方案。
- 商品型号
- FDD6688S-HXY
- 商品编号
- C49256470
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3635克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 53W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.295nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 210pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 267pF |
商品概述
FDD6688S采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30 V，ID = 100 A
- RDS(ON) < 5 mΩ@ VGS = 10 V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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