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NTD4404N1G-HXY实物图
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NTD4404N1G-HXY

N沟道 30V 100A

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描述
本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET），具备优异的导通与开关性能。其主要参数包括：漏极电流ID为100A，漏源击穿电压VDSS为30V，导通电阻RDON低至3.8mΩ，适用于高效率、高功率密度的电源转换系统。器件采用先进工艺制造，支持高频工作，适合用于同步整流、DC-DC转换器及负载开关等应用场景，提供稳定可靠的功率控制解决方案。
品牌名称
HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号
NTD4404N1G-HXY
商品编号
C49256471
商品封装
TO-252-2L​
包装方式
编带
商品毛重
0.3635克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)100A
导通电阻(RDS(on))3.8mΩ@10V
耗散功率(Pd)53W
阈值电压(Vgs(th))1.5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)20nC@4.5V
输入电容(Ciss)2.295nF
反向传输电容(Crss)210pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)267pF

数据手册PDF

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