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SMIRF7N65T9RL-HXY
硅N沟道功率MOSFET
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- 描述
- 本款N沟道场效应管（MOSFET）具有650V的漏源击穿电压（VDSS）和7A的额定漏极电流（ID），适用于高电压和中功率应用场景。导通电阻（RDON）为1200mΩ，能够在开关过程中有效降低导通损耗，提高系统效率。该器件采用标准封装形式，具备良好的热稳定性和可靠性，适合用于电源转换、电机控制、LED驱动及高性能开关电路中。其参数设计兼顾性能与功耗，是一款适用于多种通用高性能电子设备的理想选择。
- 商品型号
- SMIRF7N65T9RL-HXY
- 商品编号
- C49256459
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.389899克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.2Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 100W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.13nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5.5pF | |
| 工作温度 | -45℃~+125℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 93pF |
优惠活动
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