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FDD6690S-HXY

N沟道增强型MOSFET

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描述
本款N沟道场效应管（MOSFET）具有以下主要参数：最大漏极电流ID为50A，漏源击穿电压VDSS为30V，导通电阻RDON低至7.5mΩ。该器件适用于需要高效功率控制的各类场景，能够提供稳定可靠的电气性能。凭借其低导通电阻和良好的热稳定性，该MOSFET可广泛用于电源管理、开关电路以及各类电子设备中，满足多种设计需求。
品牌名称
HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号
FDD6690S-HXY
商品编号
C49256462
商品封装
TO-252-2L​
包装方式
编带
商品毛重
0.3895克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)50A
导通电阻(RDS(on))7.5mΩ@10V；11mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)37.5W
栅极电荷量(Qg)9.8nC@4.5V
属性参数值
输入电容(Ciss)940pF
反向传输电容(Crss)109pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)131pF

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