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FDD6690S-HXY
N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本款N沟道场效应管（MOSFET）具有以下主要参数：最大漏极电流ID为50A，漏源击穿电压VDSS为30V，导通电阻RDON低至7.5mΩ。该器件适用于需要高效功率控制的各类场景，能够提供稳定可靠的电气性能。凭借其低导通电阻和良好的热稳定性，该MOSFET可广泛用于电源管理、开关电路以及各类电子设备中，满足多种设计需求。
- 商品型号
- FDD6690S-HXY
- 商品编号
- C49256462
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3895克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.5mΩ@10V；11mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 37.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 9.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 940pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 109pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 131pF |
商品概述
FDD6690S采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30 V,ID = 50 A
- RDS(ON) < 10 mΩ @ VGS = 10 V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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