IRLR8256PBF-HXY

N沟道增强型MOSFET

描述

本款N沟道场效应管（MOSFET）具备较高的电流承载能力，最大漏极电流ID可达100A，漏源击穿电压VDSS为30V，导通电阻RDON低至3.8mΩ。该器件在高效率功率转换和开关控制中表现出良好的电气性能，适用于多种电子系统设计。其低导通电阻有助于降低功耗，提升整体系统效率。可广泛应用于电源管理模块、高频开关电路以及各类高性能电子设备中，满足对功率密度与稳定性要求较高的使用场景。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

IRLR8256PBF-HXY

商品编号

C49256463

商品封装

TO-252-2L​

包装方式

编带

商品毛重

0.364322克(g)