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IRLR8256PBF-HXY
N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本款N沟道场效应管（MOSFET）具备较高的电流承载能力，最大漏极电流ID可达100A，漏源击穿电压VDSS为30V，导通电阻RDON低至3.8mΩ。该器件在高效率功率转换和开关控制中表现出良好的电气性能，适用于多种电子系统设计。其低导通电阻有助于降低功耗，提升整体系统效率。可广泛应用于电源管理模块、高频开关电路以及各类高性能电子设备中，满足对功率密度与稳定性要求较高的使用场景。
- 商品型号
- IRLR8256PBF-HXY
- 商品编号
- C49256463
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.364322克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.5mΩ@4.5V；3.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 53W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.295nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 210pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 267pF |
优惠活动
购买数量
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