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DI030N03D1-HXY
N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本款N沟道场效应管（MOSFET）具有30V的漏源击穿电压（VDSS）和50A的额定漏极电流（ID），适用于中高功率电子系统。导通电阻（RDON）为7.5mΩ，有助于降低导通损耗，提高能效。器件采用紧凑型封装设计，具备良好的热传导性能与稳定性，适用于电源转换、负载开关、电池管理系统及高性能数字控制电路。其参数配置兼顾导通压降与开关特性，适合用于对效率与空间布局有要求的通用电子设备。
- 商品型号
- DI030N03D1-HXY
- 商品编号
- C49256461
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.375377克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 37.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 9.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 940pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 109pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 131pF |
商品概述
DI030N03D1采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30 V,ID = 50 A
- 在VGS = 10 V时,RDS(ON) < 10 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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