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BSZ036NE2LSATMA1-HXY
N沟道 30V 60A
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- 描述
- 本款N沟道场效应管（MOSFET）具有30V的漏源击穿电压（VDSS）和60A的额定漏极电流（ID），适合需要大电流与低导通电阻的应用场景。其导通电阻（RDON）仅为4mΩ，能显著降低导通状态下的功率损耗，提高整体效率。器件采用高密度封装，具备良好的散热性能和稳定性，适用于电源管理、电池充放电控制、DC-DC转换器以及各类高效能开关电路。该MOSFET在设计上兼顾高电流承载能力与低损耗特性，适用于多种高性能电子设备。
- 商品型号
- BSZ036NE2LSATMA1-HXY
- 商品编号
- C49256460
- 商品封装
- DFN-8(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.056711克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4mΩ@10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 31.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.075nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 315pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 400pF |
商品概述
BSZ036NE2LSATMA1采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30V，ID = 60A
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) < 5.5 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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