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SMIRF4N65T9RL-HXY
硅N沟道功率MOSFET
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- 描述
- 本款N沟道场效应管（MOSFET）具备650V的漏源耐压（VDSS），可承载4A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDON）为2400mΩ。该器件适用于开关电源、功率转换器及高电压控制电路，具备较高的击穿电压和良好的开关特性，适合用于对体积与效率有一定要求的中高压电子系统设计中，支持多种常见拓扑结构的应用实现。
- 商品型号
- SMIRF4N65T9RL-HXY
- 商品编号
- C49256458
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.380402克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.4Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 75W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 14.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 610pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.5pF | |
| 工作温度 | -45℃~+125℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 53pF |
商品概述
SMIRF4N65T9RL可用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高效率。其封装形式为TO - 252 - 2L，符合RoHS标准。
商品特性
- VDS = 650 V,ID = 4 A
- RDS(ON) < 2.7 Ω@ VGS = 10 V
应用领域
- 适配器和充电器的功率开关电路。
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