我的订单购物车(0)联系客服帮助中心供应商合作嘉立创产业服务群
立创商城logo
购物车0
领券中心备货找料立推专区爆款推荐TI订货PLUS会员BOM配单工业品PCB/SMT面板定制
SMIRF4N65T9RL-HXY实物图
  • SMIRF4N65T9RL-HXY商品缩略图
  • SMIRF4N65T9RL-HXY商品缩略图
  • SMIRF4N65T9RL-HXY商品缩略图

温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

SMIRF4N65T9RL-HXY

硅N沟道功率MOSFET

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
描述
本款N沟道场效应管（MOSFET）具备650V的漏源耐压（VDSS），可承载4A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDON）为2400mΩ。该器件适用于开关电源、功率转换器及高电压控制电路，具备较高的击穿电压和良好的开关特性，适合用于对体积与效率有一定要求的中高压电子系统设计中，支持多种常见拓扑结构的应用实现。
品牌名称
HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号
SMIRF4N65T9RL-HXY
商品编号
C49256458
商品封装
TO-252-2L​
包装方式
编带
商品毛重
0.380402克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)4A
导通电阻(RDS(on))2.4Ω@10V
耗散功率(Pd)75W
阈值电压(Vgs(th))4V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)14.5nC@10V
输入电容(Ciss)610pF
反向传输电容(Crss)3.5pF
工作温度-45℃~+125℃
类型N沟道
输出电容(Coss)53pF

数据手册PDF

放大查看下载PDF

优惠活动

  • 9.5折

    购买数量

    (2500个/圆盘，最小起订量 5 个)
    个
    起订量：5 个2500个/圆盘

    总价金额：

    ￥ 0.00

    近期成交1单