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SQD50P04-13L_T4GE3-HXY
P沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本款P沟道场效应管（MOSFET）具备40V漏源电压（VDSS）和50A连续漏极电流（ID）能力，导通电阻（RDON）仅为10mΩ，确保在高负载条件下仍能保持较低的导通损耗。器件结构优化，具备良好的开关性能与热稳定性，适用于各类中高功率电源系统、直流变换器、电池管理系统及电机控制电路。其高性能参数组合使其在复杂电路环境中可实现高效能与高可靠性运行。
- 商品型号
- SQD50P04-13L_T4GE3-HXY
- 商品编号
- C49256455
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.374克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 40W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.525nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 172pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 190pF |
商品概述
SQD50P04-13L_T4GE3采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -40V，ID = -40A
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) < 19mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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