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SUD50P04-08-BE3-HXY
P沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本P沟道场效应管（MOSFET）具有40V漏源击穿电压（VDSS），最大连续漏极电流（ID）可达50A，导通电阻（RDON）低至10mΩ，显著降低导通损耗并提升整体效率。器件采用优化设计，具备良好的高频开关特性和热稳定性，适用于多种电源管理应用，如DC-DC转换器、电池供电设备、负载开关及电机驱动电路。其高电流承载能力和低导通电阻特性，有助于实现高效、紧凑的电路设计，在多种电子系统中提供稳定可靠的性能表现。
- 商品型号
- SUD50P04-08-BE3-HXY
- 商品编号
- C49256456
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3735克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 40.3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.525nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 172pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 190pF |
商品概述
SUD50P04-08-BE3采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = - 40V,ID = - 40A
- 在VGS = 10V时,RDS(ON) < 19mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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