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SUD40151EL-GE3-HXY

P沟道增强型MOSFET

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描述
本款P沟道场效应管（MOSFET）具有40V的漏源耐压（VDSS），可承受最高50A的连续漏极电流（ID）。导通电阻（RDON）低至10mΩ，有效降低导通损耗，提高系统效率。适用于高侧开关、电源管理及直流电机控制等场景，支持高频开关操作，具备良好的热稳定性和可靠性，适合用于各类中高功率电子设备的设计与应用中。
品牌名称
HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号
SUD40151EL-GE3-HXY
商品编号
C49256457
商品封装
TO-252-2L​
包装方式
编带
商品毛重
0.3935克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)40A
导通电阻(RDS(on))13.5mΩ@10V
耗散功率(Pd)40.3W
阈值电压(Vgs(th))1.5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)35nC@10V
输入电容(Ciss)2.525nF
反向传输电容(Crss)172pF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)190pF

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