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HUF75321D3ST-HXY
N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本款N沟道场效应管（MOSFET）具有良好的电性能和稳定性，适用于多种功率管理场景。其主要参数包括：最大漏极电流ID为20A，漏源击穿电压VDSS为60V，导通电阻RDON低至27毫欧，有助于降低导通损耗并提升系统效率。器件采用成熟工艺制造，具备优良的开关特性和热稳定性，适用于电源适配器、电池管理系统、智能家电及通信设备中的功率控制电路，满足高性能与小型化设计需求。
- 商品型号
- HUF75321D3ST-HXY
- 商品编号
- C49256446
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.364克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 34.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.355nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 49pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 60pF |
商品概述
HUF75321D3ST采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 60V，ID = 20A
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) < 32mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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