温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
HUFA75321D3ST-HXY
N沟道增强型MOSFET
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 本款N沟道场效应管（MOSFET）具有优异的电性能表现，适用于多种高效能场景。其漏极电流ID可达20A，漏源电压VDSS为60V，导通电阻RDON低至27mΩ，有助于降低导通损耗并提升系统效率。器件采用标准封装形式，具备良好的热稳定性和可靠性，适合应用于电源管理、开关电路、负载控制及高精度电子设备中。其参数设计兼顾了高频响应与低功耗特性，能够满足多样化电路设计需求，是一款性能均衡且适用范围广泛的功率器件。
- 商品型号
- HUFA75321D3ST-HXY
- 商品编号
- C49256448
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3645克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 34.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.355nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 49pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 60pF |
商品概述
HUFA75321D3ST采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 60V，ID = 20A
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) < 32mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
相似推荐
其他推荐
- DMNH6042SK3Q-13-HXY
- DMNH6042SK3-13-HXY
- SVD5867NLT4G-HXY
- IPD50P04P4-13-HXY
- SQD50P04-13L_GE3-HXY
- DMPH4013SK3-13-HXY
- SQD50P04-13L_T4GE3-HXY
- SUD50P04-08-BE3-HXY
- SUD40151EL-GE3-HXY
- SMIRF4N65T9RL-HXY
- SMIRF7N65T9RL-HXY
- BSZ036NE2LSATMA1-HXY
- DI030N03D1-HXY
- FDD6690S-HXY
- IRLR8256PBF-HXY
- IRLR7833TRPBF-HXY
- IRLR7833TRLPBF-HXY
- STD80N3LL-HXY
- STD96N3LLH6-HXY
- STD86N3LH5-HXY
- SUD50N03-06AP-E3-HXY