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DMNH6042SK3Q-13-HXY
N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本款N沟道场效应管（MOSFET）具备20A漏极电流（ID）与60V漏源击穿电压（VDSS），可满足中高功率电路的开关需求。导通电阻（RDON）低至27mΩ，有效降低导通损耗，提升整体效率。器件采用通用封装形式，具备良好的热稳定性和耐用性，适用于各类电源转换、电机控制、储能系统及高性能电子设备中。其参数设计兼顾高频响应与稳定性，适合多种电路拓扑结构，是一款性能优异且应用广泛的功率器件。
- 商品型号
- DMNH6042SK3Q-13-HXY
- 商品编号
- C49256449
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3645克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 34.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.355nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 49pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 60pF |
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